Ученые из тайваньской компании Macronix разработали новую технологию, способную увеличить максимальное число циклов перезаписи во флэш-памяти с 10 тыс. до 100 млн., и, таким образом, избавить накопители от эффекта старения.

Главным недостатком современных накопителей информации является неспособность надежного хранения данных спустя 10 тыс. циклов перезаписи. Это объясняется тем, что при постоянном воздействии на ячейки высокого напряжения, происходит их изнашивание.

Эта технология в первую очередь будет направлена на SSD-накопители для ноутбуков, персональных компьютеров, серверного оборудования и корпоративных систем хранения данных. Насчет USB-накопителей, принцип работы которых также основан на флэш-памяти, новую технологию пока не собираются применять ввиду короткого срока эксплуатации.

Основной целью ученых в начале исследований было повышение периода жизнедеятельности флэш-памяти. Предметом экспериментов был выбран тип памяти, основанной на фазовом состоянии вещества. В таком типе памяти ячейки меняет свою проводимость при нагреве. Исследователи обнаружили, что аналогичный нагрев ячейки во флэш-памяти оказывает эффект восстановления.

Это открытие подтолкнуло ученых на мысль о модификации чипа обычной флэш-памяти. Они добавили в него крошечные нагреватели для групп ячеек. Нагрев ячеек до температуры 800 °C в течение нескольких миллисекунд продлил их жизненный цикл до 100 млн циклов перезаписи.

В компании утверждают, что достигнутый результат еще не предел и в теории может достигать 1 млрд циклов. Главным нюансом использования новой технологии в портативных устройствах является дополнительное потребление энергии, что в свою очередь должно существенно ускорить время разрядки аккумулятора. Однако представители компании утверждают, что никаких видимых изменений не произойдет, так как нагревать чипы необходимо достаточно редко.

Кроме того, ученые сделали еще одно открытие, которое может также повысить производительность накопителей информации - воздействие на флэш-память высокой температуры увеличивает скорость стирания данных в ячейках. Результаты исследований будут представлены на конференции IEEE International Electron Devices Meeting 2012 в Сан-Франциско.